Anmelden/Registrieren
Erscheinungsjahr:
Veröffentlichungen zu Park, Sin-Chong.
Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
zeige Details
1
Park, Hyung-Ho., Kwon, Kwang-Ho., ... Characterization and removal of silicon surface residue resulting from CHF3/C2F6 reactive ion etching
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 76, No. 8 (1994), p. 4596-4602
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1994
The surface properties of an underlying Si substrate after reactive ion etching of SiO2 in CHF3/C2F6 gas plasmas have been studied using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometry, Rutherford backscattering spectroscopy, and high resolution transmission electron... mehr
beteiligte Personen: Park, Hyung-Ho. , Kwon, Kwang-Ho. , Lee, Jong-Lam. , Suh, Kyung-Soo. , Kwon, Oh-Joon. , Cho, Kyoung-Ik. , Park, Sin-Chong.
Erschienen: 1994.
Serie: AIP Digital Archive [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.357294