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W. Zulehner

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Czochralski growth of silicon (1983)
Czochralski growth of silicon (1983)
A neutron backscattering study of lattice deformations in silicon due to SiO2 precipitation (1990)
Nitrogen-oxygen complexes in Czochralski-silicon (1988)
An efficient step size control for continuation methods (1980)
Detection of α-particles via phonons by ionization of A^+ centers in silicon (1989)
X-ray diffracton studies of annealed Czochralski-grown silicon. II. Triple-crystal diffractometry (1993)
X-ray diffraction studies of annealed Czochralski-grown silicon. I. Double-crystal diffractometry (1993)
In situ neutron diffraction study of lattice deformation during oxygen precipitation in silicon (1991)
Amorphous oxide precipitates in silicon single crystals (1988)
Investigations on the correlation between growth rate and gate oxide integrity of Czochralski-grown silicon (1994)
Photoluminescence study of acceptor-carbon complexes in irradiated silicon: Aluminum-related defects (1989)
Distribution of SiO2 precipitates in large, oxygen rich Czochralski-grown silicon single crystals after annealing at 750 °C (1995)
Anisotropy and temperature dependence of small angle neutron scattering from silicon-oxide precipitates in silicon (1991)
Small angle neutron scattering from oxygen precipitates in silicon (1992)
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1
Zulehner, W. Czochralski growth of silicon
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 65, No. 1-3 (1983), p. 189-213
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1983
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2
Zulehner, W. Czochralski growth of silicon
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 65, No. 1-3 (1983), p. 189-213
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1983
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3
Magerl, A.., Schneider, J. R.., ... A neutron backscattering study of lattice deformations in silicon due to SiO2 precipitation
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 67, No. 1 (1990), p. 533-539
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1990
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4
Wagner, P., Oeder, R., ... Nitrogen-oxygen complexes in Czochralski-silicon
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 46 (2. 1988), p. 73-76
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1988
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5
Hackl, J., Wacker, HJ., ... An efficient step size control for continuation methods
in: BIT , ISSN 1572-9125, Vol. 20 (4. 1980), p. 475-485
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1980
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6
Lange, T., Umlauf, E., ... Detection of α-particles via phonons by ionization of A^+ centers in silicon
in: Solid State Communications, in: Solid State Communications . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1098, ZDB-ID 1467698-9 Vol. 71, No. 8 (1989), p. 697-700
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1989
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7
Zaumseil, P.., Joksch, S.., ... X-ray diffracton studies of annealed Czochralski-grown silicon. II. Triple-crystal diffractometry
in: Applied crystallography online. - Copenhagen : Munksgaard, ISSN 1600-5767, Vol. 26, No. 2 (1993), p. 192-197
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1993
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8
Joksch, S.., Zaumseil, P.., ... X-ray diffraction studies of annealed Czochralski-grown silicon. I. Double-crystal diffractometry
in: Applied crystallography online. - Copenhagen : Munksgaard, ISSN 1600-5767, Vol. 26, No. 2 (1993), p. 185-191
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1993
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9
Liss, K. D.., Magerl, A.., ... In situ neutron diffraction study of lattice deformation during oxygen precipitation in silicon
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 70, No. 3 (1991), p. 1276-1280
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1991
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10
Messoloras, S., Schneider, J. R., ... Amorphous oxide precipitates in silicon single crystals
in: Nature . - London [u.a.] : Nature Publising Group, ISSN 1476-4687, Vol. 336, No. 6197 (1988), p. 364-365
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1988
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11
Zemke, D., Gerlach, P., ... Investigations on the correlation between growth rate and gate oxide integrity of Czochralski-grown silicon
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 139, No. 1-2 (1994), p. 37-46
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1994
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12
Irion, E., Bürger, N., ... Photoluminescence study of acceptor-carbon complexes in irradiated silicon: Aluminum-related defects
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 48 (1. 1989), p. 25-30
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1989
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13
Bouchard, R.., Schneider, J. R.., ... Distribution of SiO2 precipitates in large, oxygen rich Czochralski-grown silicon single crystals after annealing at 750 °C
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 77, No. 2 (1995), p. 553-562
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1995
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14
Sieger, D., Tietze-Jaensch, H., ... Anisotropy and temperature dependence of small angle neutron scattering from silicon-oxide precipitates in silicon
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 53 (5. 1991), p. 422-425
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1991
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15
Tietze-Jaensch, H., Sieger, D., ... Small angle neutron scattering from oxygen precipitates in silicon
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 54 (1. 1992), p. 19-21
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1992
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16
Sieger, D., Tietze-Jaensch, H., ... Shape and correlation of oxygen precipitates in silicon
in: Physica B: Physics of Condensed Matter, in: Physica B: Physics of Condensed Matter . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0921-4526, ZDB-ID 1466579-7 Vol. 180-181 (1992), p. 512-514
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1992
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17
Gupta, S.., Messoloras, S.., ... Oxygen precipitation in heavily boron-doped silicon
in: Applied crystallography online. - Copenhagen : Munksgaard, ISSN 1600-5767, Vol. 24, No. 5 (1991), p. 576-580
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1991
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18
Schmidt, T.., Woo, D.., ... Effect of Thermal Diffuse Scattering in Triple-Crystal Diffractometry with High-Energy Synchrotron Radiation
in: Applied crystallography online. - Copenhagen : Munksgaard, ISSN 1600-5767, Vol. 31, No. 4 (1998), p. 625-633
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1998
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19
Schneider, J.R., Nagasawa, H., ... Test of annealed Czochralski grown silicon crystals as X-ray diffraction elements with 145 keV synchrotron radiation
in: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A:, in: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-9002, ZDB-ID 1466532-3 Vol. 276, No. 3 (1989), p. 636-642
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1989
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20
Schneider, J.R., Goncalves, O.D., ... Annealed Czochralski grown silicon crystals: A new material for the monochromatisation of synchrotron radiation and X-rays above 60 keV
in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-583X, ZDB-ID 1466524-4 Vol. 29, No. 4 (1988), p. 661-674
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1988