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S. P. Withrow

Veröffentlichungen von S. P. Withrow zu Withrow, S. J. ->
weitere Veröffentlichungen von S. P. Withrow:
Reduction of sodium-accelerated oxidation of silicon nitride ceramics by aluminium implantation (1997)
High dose Fe implantation of graphite at elevated temperature (1988)
New carbon nitride phase by high-dose N ion implantation in glassy carbon (1995)
Synthesis of dilute magnetic semiconductors by ion implantation (1987)
Editorial (1991)
Radiation damage and annealing in graphite implanted with H+2 and Mo+ (1988)
Ion beam annealing of Ga-implanted Si (1989)
Effects of hydrogen in the annealing environment on photoluminescence from Si nanoparticles in SiO2 (1999)
Growth of Ge, Si, and SiGe nanocrystals in SiO2 matrices (1995)
Chemical interaction of Si, Ti, and Mo with graphite surfaces (1996)
Ion-beam synthesis and stability of GaAs nanocrystals in silicon (1996)
Addendum:"Ion beam synthesis and stability of GaAs nanocrystals in silicon'' [Appl. Phys. Lett. 68, 2389 (1996)] (1996)
Electron beam induced desorption and dissociation of CO chemisorbed on Ir(111) (1978)
Potential and stopping power information from ion channeling in Ge (1984)
Ion scattering study of reconstruction in the Au(110)-(1 x 2) surface (1985)
Veröffentlichungen zu Withrow, S. J.
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1
Withrow, S. P.., Williams, J. M.., ... New carbon nitride phase by high-dose N ion implantation in glassy carbon
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 5 (1995), p. 3060-3065
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1995
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2
Bodforss, S., Holmgvist, A., ... Antimonelektrode
in: Fresenius' Zeitschrift für analytische Chemie , ISSN 1618-2650, Vol. 90 (7/8. 1932), p. 280-281
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1932
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3
White, C. W.., Budai, J. D.., ... Ion-beam synthesis and stability of GaAs nanocrystals in silicon
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 68, No. 17 (1996), p. 2389-2391
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1996
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4
White, C. W.., Budai, J. D.., ... Addendum:"Ion beam synthesis and stability of GaAs nanocrystals in silicon'' [Appl. Phys. Lett. 68, 2389 (1996)]
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 69, No. 15 (1996), p. 2297-2297
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1996
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5
Withrow, S.P., Holland, O.W., ... Ion beam annealing of Ga-implanted Si
in: Applied Surface Science, in: Applied Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0169-4332, ZDB-ID 2002520-8 Vol. 43, No. 1-4 (1989), p. 191-195
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1989
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6
Withrow, J.M., Sargent, G.F., ... Induction of male sex behavior in pony mares with testosterone propionate
in: Theriogenology, in: Theriogenology . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0093-691X, ZDB-ID 1498777-6 Vol. 20, No. 4 (1983), p. 485-490
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1983
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7
Culbertson, R.J., Withrow, S.P., ... Potential and stopping power information from ion channeling in Ge
in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-583X, ZDB-ID 1466524-4 Vol. 2, No. 1-3 (1984), p. 19-24
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1984
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8
Withrow, S.P., Barrett, J.H., ... Ion scattering study of reconstruction in the Au(110)-(1 x 2) surface
in: Surface Science Letters, in: Surface Science Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0167-2584, ZDB-ID 2229427-2 Vol. 161, No. 2-3 (1985), p. A551
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1985
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9
Culbertson, R.J., Barrett, J.H., ... Angular symmetry of the ion scattering surface yield for large outerlayer relaxations
in: Surface Science Letters, in: Surface Science Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0167-2584, ZDB-ID 2229427-2 Vol. 157, No. 2-3 (1985), p. A391
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1985
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10
Withrow, S.P., Barrett, J.H., ... Ion scattering study of reconstruction in the Au(110)-(1x2) surface
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 161, No. 2-3 (1985), p. 584-596
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1985
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11
Culbertson, R.J., Barrett, J.H., ... Angular symmetry of the ion scattering surface yield for large outerlayer relaxations
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 157, No. 2-3 (1985), p. 451-458
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1985
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12
Withrow, S. P.., White, C. W.., ... Effects of hydrogen in the annealing environment on photoluminescence from Si nanoparticles in SiO2
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 86, No. 1 (1999), p. 396-401
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1999
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13
Roth, J.., Zuhr, R. A.., ... Radiation damage and annealing in graphite implanted with H+2 and Mo+
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 63, No. 8 (1988), p. 2603-2608
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1988
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14
Zhu, Jane G.., White, C.W.., ... Growth of Ge, Si, and SiGe nanocrystals in SiO2 matrices
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 7 (1995), p. 4386-4389
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1995
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15
Roth, J.., Graupner, H.., ... Chemical interaction of Si, Ti, and Mo with graphite surfaces
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 79, No. 10 (1996), p. 7695-7702
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1996
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16
Withrow, S. P.., White, C. W.., ... Analysis of C films formed on single-crystal Cu by ion implantation and laser annealing
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 72, No. 8 (1992), p. 3485-3491
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1992
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17
Cheong, Hyeonsik M.., Paul, W.., ... Hydrostatic pressure dependence of the photoluminescence of Si nanocrystals in SiO2
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 68, No. 1 (1996), p. 87-89
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1996
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18
Budai, J. D., White, C. W., ... Controlling the size, structure and orientation of semiconductor nanocrystals using metastable phase recrystallization
in: Nature . - London [u.a.] : Nature Publising Group, ISSN 1476-4687, Vol. 390, No. 6658 (1997), p. 384-386
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1997
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19
Höher, J., Sakane, M., ... Viskoplastische Elongation eines gevierfachten Semitendinosussehnenkonstrukts mit Tape- und Fadenfixierung unter zyklischer Belastung
in: Arthroskopie , ISSN 1434-3924, Vol. 11 (2. 1998), p. 52-55
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1998
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20
Iimori, S., Jayson, A. R., ... Schwefelverbindungen
in: Fresenius' Zeitschrift für analytische Chemie , ISSN 1618-2650, Vol. 86 (11/12. 1931), p. 464-467
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1931