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A. P. Vyatkin

Veröffentlichungen von A. P. Vyatkin zu Vyatkin, A. V. ->
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Structure of rectifying barrier in metal-gallium arsenide point contact (1968)
Breakdown in metal-gallium arsenide point contacts (1968)
Work function and electrical conductivity of germanium for various crystallographic orientations of the surface (1972)
Crystallographic anisotropy in the surface properties of oxidized germanium (1973)
Effect of the conditions of formation on the electrical properties of germanium alloy p-n-junctions (1971)
Piezotunnel current in GaAs p-n junctions (1977)
Stress at alloyed metal contacts with silicon and gallium arsenide (1971)
Defects in Schottky barrier structures (1983)
Mechanized presterilization treatment for surgical gloves (1985)
Thermal instability of peak current in tunnel diodes (1985)
The dislocation structure of alloyed contacts between metals and semiconductors (1965)
Reflection-pattern study of the anisotropy of the etching of gallium antimonide (1970)
Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb (1975)
Phase diagram for the GaAs-Sn system (1965)
Investigation of the band spectrum of semiconductors by means of a tunnel diode under pressure (1981)
Veröffentlichungen zu Vyatkin, A. V.
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Dolgikh, V. A., Vyatkin, E. G. Modelling čerenkov radiation of relativistic particles in crystals
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 31 (2. 1988), p. 137-141
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1988
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2
Vyatkin, A. P., Voronkov, V. P. Effect of the conditions of formation on the electrical properties of germanium alloy p-n-junctions
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 14 (7. 1971), p. 977-979
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1971
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3
Bozhkov, V. G., Shirokov, A. A., ... Anisotropy of the surface properties of germanium in contact with an electrolyte containing gold ions
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 17 (7. 1974), p. 977-982
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1974
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4
Germogenov, V. P., Vilisov, A. A., ... Preparation and study of p-n junction structures based on solid solutions AlxGa1-xSb
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 18 (9. 1975), p. 1265-1269
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1975
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5
Shirokov, A. A., Bozhkov, V. G., ... Influence of copper ions and the crystallographic orientation on the surface properties of germanium in contact with an electrolyte
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 18 (8. 1975), p. 1142-1145
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1975
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6
Shirokov, A. A., Bozhkov, V. G., ... Fast surface states activated by silver ions on a germanium-neutral electrolyte interface
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 18 (8. 1975), p. 1137-1141
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1975
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7
Brudnyi, V. N., Vilisov, A. A., ... Effect of electron irradiation on the parameters of gallium arsenide pulsed diodes
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 13 (4. 1970), p. 506-510
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1970
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8
Adamchuk, V. K., Vyatkin, A. G., ... Investigation of the relative stability of solid phases in the La-graphite system based on the method of multicenter atom-atom potentials
in: Physics of the solid state , ISSN 1063-7834, Vol. 39 (10. 1997), p. 1681-1684
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1997
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9
Baryshnikov, V. F., Voronkov, V. P., ... The photoelectric characteristics of alloyed Ge-GaAs junctions
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 16 (6. 1973), p. 869-871
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1973
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10
Voevodina, O. V., Vyatkin, A. P., ... The behavior of copper impurity in CdSnAs2
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 16 (7. 1973), p. 923-927
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1973
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11
Vyatkin, A.F., Simonov, V.V., ... Development of ion implantation equipment in the USSR
in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-583X, ZDB-ID 1466524-4 Vol. 55, No. 1-4 (1991), p. 386-392
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1991
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12
Vilisov, A. A., Voronkov, V. P., ... Photoresponse at a semiconductor-metal point contact
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 14 (7. 1971), p. 980-982
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1971
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13
Vyatkin, A. P., Maksimova, N. K., ... Electrical characteristics of nickel/gallium-arsenide barrier layer diodes
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 10 (11. 1967), p. 55-59
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1967
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14
Vyatkin, A. P., Glushchenko, V. A., ... Behavior of excess currents in n-type gallium arsenide tunnel diodes
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 24 (3. 1981), p. 275-278
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1981
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15
Vyatkin, A.F., Buravlev, A.V., ... Point defect induced solid phase epitaxial growth and amorphisation of silicon
in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-583X, ZDB-ID 1466524-4 Vol. 59-60 (1991), p. 431-433
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1991
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16
Maksimova, N. K., Kalygina, V. M., ... Structure and properties of interphase boundaries of gallium arsenide-metal (dielectric)
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 36 (10. 1993), p. 935-943
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1993
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17
Starkov, V.V., Hemment, P.L.F., ... Amorphisation and solid phase epitaxial regrowth of the silicon overlayer in SIMOX structures
in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, in: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0168-583X, ZDB-ID 1466524-4 Vol. 55, No. 1-4 (1991), p. 701-704
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1991
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18
Borzenko, T., Vyatkin, A., ... The effect of ion implantation on polymer mask resistance to ion beam etching
in: Vacuum, in: Vacuum . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0042-207X, ZDB-ID 1479044-0 Vol. 38, No. 11 (1988), p. 1007-1009
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1988
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19
Vyatkin, A. P., Maksimova, N. K., ... Transport mechanism at a metal-gallium arsenide contact
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 14 (1. 1971), p. 61-65
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1971
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20
Vyatkin, A. P., Kositsin, L. G., ... Phase interactions in the Pd-GaAs system and effects on structures with schottky barriers II. Examination of a gallium arsenide-metal interface by the secondary ion-ion emission...
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 24 (4. 1981), p. 299-301
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1981