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Michael S. Shur

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weitere Veröffentlichungen von Michael S. Shur:
Consequences of space dependence of effective mass in heterostructures (1998)
Terahertz detection by high-electron-mobility transistor: Enhancement by drain bias (2001)
Temperature activated conductance in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors operating at temperatures up to 300 °C (1995)
Veröffentlichungen zu Shur, Michael S..
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Dyakonov, Michael., Shur, Michael S.. Consequences of space dependence of effective mass in heterostructures
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 84, No. 7 (1998), p. 3726-3730
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ähnliche Vorschläge
1998
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2
Lü, Jian-Qiang., Shur, Michael S.. Terahertz detection by high-electron-mobility transistor: Enhancement by drain bias
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 78, No. 17 (2001), p. 2587-2588
Zugang: zum Volltext
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2001
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3
Khan, M. Asif., Shur, Michael S.., ... Temperature activated conductance in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors operating at temperatures up to 300 °C
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 66, No. 9 (1995), p. 1083-1085
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1995