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N. Sawaki

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Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures (1985)
An integral equation approach to finite deflection of elastic plates (1982)
Subpicosecond photoluminescence from radiation-damaged Ga0.47In0.53As (1989)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth of (In"xGa"1"-"xN/GaN)^n layered structures and reduction of indium droplets (1994)
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate (1988)
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Deep levels in the upper band-gap region of lightly Mg-doped GaN (1996)
Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide (1986)
Selective growth of wurtzite GaN and Al"xGa"1"-"xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (1994)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth and characteristics of Mg-doped GaN using GaN substrates (1994)
Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer (1991)
Veröffentlichungen zu Sawaki, N. von Sawaki, N.[x]
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1
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science Letters, in: Surface Science Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0167-2584, ZDB-ID 2229427-2 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. A250
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1986
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2
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. 537-541
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1986
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3
Sawaki, N., Akasaki, I. Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures
in: Physica B+C, in: Physica B+C . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0378-4363, ZDB-ID 2208195-1 Vol. 134, No. 1-3 (1985), p. 494-498
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1985
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4
Shimizu, M., Hiramatsu, K., ... Metalorganic vapor phase epitaxy growth of (In"xGa"1"-"xN/GaN)^n layered structures and reduction of indium droplets
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 145, No. 1-4 (1994), p. 209-213
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1994
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5
Amano, H., Akasaki, I., ... Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate
in: Thin Solid Films, in: Thin Solid Films . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0040-6090, ZDB-ID 1482896-0 Vol. 163 (1988), p. 415-420
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6
Zhou, J., Goto, H., ... Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide
in: Journal of Luminescence, in: Journal of Luminescence . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-2313, ZDB-ID 1491401-3 Vol. 35, No. 5 (1986), p. 255-260
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1986
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7
Kato, Y., Kitamura, S., ... Selective growth of wurtzite GaN and Al"xGa"1"-"xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 144, No. 3-4 (1994), p. 133-140
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8
Detchprohm, T., Hiramatsu, K., ... Metalorganic vapor phase epitaxy growth and characteristics of Mg-doped GaN using GaN substrates
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 145, No. 1-4 (1994), p. 192-196
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1994
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9
Takeuchi, T., Amano, H., ... Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 115, No. 1-4 (1991), p. 634-638
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10
Kano, H., Tanaka, Y., ... Negative differential resistance device built in a biwell GaAs/AlGaAs superlattice
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 81, No. 1-4 (1987), p. 144-148
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11
Suzuki, T., Goto, H., ... Autocompensation in Si planar doped GaAs
in: Applied Surface Science, in: Applied Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0169-4332, ZDB-ID 2002520-8 Vol. 82-83 (1994), p. 103-108
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1994
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12
Hashimoto, M., Amano, H., ... Effects of hydrogen in an ambient on the crystal growth of GaN using Ga(CH"3)"3 and NH"3
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 68, No. 1 (1984), p. 163-168
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13
Akasaki, I., Amano, H., ... Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga"1"-"xAl"xN (0 < x 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 98, No. 1-2 (1989), p. 209-219
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1989
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14
Suzuki, T., Goto, H., ... Autocompensation in Si planar doped GaAs
in: Applied Surface Science, in: Applied Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0169-4332, ZDB-ID 2002520-8 Vol. 82-83 (1994), p. 103-108
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15
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in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 79, No. 1-3 (1986), p. 978-983
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16
Okuno, E., Kondo, J., ... Real space transfer and modulation of electron mobility in GaAs/AlGaAs double quantum well structures
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 267, No. 1-3 (1992), p. 570-573
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1992
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17
Detchprohm, T., Hiramatsu, K., ... The homoepitaxy of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy using GaN substrates
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 137, No. 1-2 (1994), p. 170-174
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18
Sawaki, N., Hopfel, R.A., ... Tunneling and energy relaxation of hot electrons in double quantum well structures
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 32, No. 12 (1989), p. 1321-1325
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19
Amano, H., Hiramatsu, K., ... Zn related electroluminescent properties in MOVPE grown GaN
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 93, No. 1-4 (1988), p. 79-82
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20
Hayashi, K., Itoh, K., ... Raman scattering in Al"xGa"1"-"xN alloys
in: Solid State Communications, in: Solid State Communications . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1098, ZDB-ID 1467698-9 Vol. 77, No. 2 (1991), p. 115-118
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1991