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N. Sawaki

Veröffentlichungen von N. Sawaki zu Sawaki, N. ->
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Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures (1985)
An integral equation approach to finite deflection of elastic plates (1982)
Subpicosecond photoluminescence from radiation-damaged Ga0.47In0.53As (1989)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth of (In"xGa"1"-"xN/GaN)^n layered structures and reduction of indium droplets (1994)
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate (1988)
Growth of GaN free from cracks on a (111)Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy (2002)
Time-resolved measurement of tunneling and energy relaxation of hot electrons in GaAs/AlGaAs double quantum well structures (1989)
Schottky barrier on n-type GaN grown by hydride vapor phase epitaxy (1993)
Deep levels in the upper band-gap region of lightly Mg-doped GaN (1996)
Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide (1986)
Selective growth of wurtzite GaN and Al"xGa"1"-"xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (1994)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth and characteristics of Mg-doped GaN using GaN substrates (1994)
Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer (1991)
Veröffentlichungen zu Sawaki, N. [x]
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Kamiya, N., Sawaki, Y. An integral equation approach to finite deflection of elastic plates
in: International Journal of Non-Linear Mechanics, in: International Journal of Non-Linear Mechanics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0020-7462, ZDB-ID 2006564-4 Vol. 17, No. 3 (1982), p. 187-194
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1982
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2
Hashimoto, M., Amano, H., ... Effects of hydrogen in an ambient on the crystal growth of GaN using Ga(CH"3)"3 and NH"3
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 68, No. 1 (1984), p. 163-168
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1984
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3
Kimura, M., Kuriki, N., ... Stereoselective electrooxidation of a thiane to the corresponding thiane oxide
in: Tetrahedron Letters, in: Tetrahedron Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0040-4039, ZDB-ID 2007074-3 Vol. 25, No. 41 (1984), p. 4665-4668
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1984
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4
Sawaki, N., Akasaki, I. Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures
in: Physica B+C, in: Physica B+C . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0378-4363, ZDB-ID 2208195-1 Vol. 134, No. 1-3 (1985), p. 494-498
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1985
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5
Khan, M.R.H., Ohshita, Y., ... Effect of Si on photoluminescence of GaN
in: Solid State Communications, in: Solid State Communications . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1098, ZDB-ID 1467698-9 Vol. 57, No. 6 (1986), p. 405-409
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1986
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6
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science Letters, in: Surface Science Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0167-2584, ZDB-ID 2229427-2 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. A250
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1986
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7
Zhou, J., Goto, H., ... Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide
in: Journal of Luminescence, in: Journal of Luminescence . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-2313, ZDB-ID 1491401-3 Vol. 35, No. 5 (1986), p. 255-260
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1986
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8
Tanaka, S., Hiramatsu, K., ... The initial stage of LPE growth of InGaAsP on GaAs in the region of immiscibility
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 79, No. 1-3 (1986), p. 978-983
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1986
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9
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. 537-541
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1986
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10
Khan, M.R.H., Koide, Y., ... Edge emission of Al"xGa"1"-"xN
in: Solid State Communications, in: Solid State Communications . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1098, ZDB-ID 1467698-9 Vol. 60, No. 6 (1986), p. 509-512
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1986
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11
Khan, M.R.H., Koide, Y., ... Behaviour of Zn as dopant in the photoluminescence of Al"xGa"1"-"xN
in: Solid State Communications, in: Solid State Communications . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1098, ZDB-ID 1467698-9 Vol. 57, No. 1 (1986), p. 17-20
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1986
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12
Koide, Y.., Itoh, H.., ... Energy band-gap bowing parameter in an AlxGa1−x N alloy
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 61, No. 9 (1987), p. 4540-4543
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1987
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13
Kano, H., Tanaka, Y., ... Negative differential resistance device built in a biwell GaAs/AlGaAs superlattice
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 81, No. 1-4 (1987), p. 144-148
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1987
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14
Amano, H., Akasaki, I., ... Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN
in: Journal of Luminescence, in: Journal of Luminescence . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-2313, ZDB-ID 1491401-3 Vol. 40-41 (1988), p. 121-122
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1988
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15
Amano, H., Akasaki, I., ... Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate
in: Thin Solid Films, in: Thin Solid Films . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0040-6090, ZDB-ID 1482896-0 Vol. 163 (1988), p. 415-420
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1988
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16
Sawaki, N., Suzuki, M., ... Real space transfer of two dimensional electrons in double quantum well structures
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 31, No. 3-4 (1988), p. 351-354
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1988
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17
Amano, H., Hiramatsu, K., ... Zn related electroluminescent properties in MOVPE grown GaN
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 93, No. 1-4 (1988), p. 79-82
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1988
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18
Sawaki, N.., Höpfel, R. A.., ... Time-resolved measurement of tunneling and energy relaxation of hot electrons in GaAs/AlGaAs double quantum well structures
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 55, No. 19 (1989), p. 1996-1998
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1989
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19
Höpfel, R. A.., Sawaki, N.., ... Subpicosecond photoluminescence from radiation-damaged Ga0.47In0.53As
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 55, No. 5 (1989), p. 460-462
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1989
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20
Akasaki, I., Amano, H., ... Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga"1"-"xAl"xN (0 < x 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 98, No. 1-2 (1989), p. 209-219
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1989