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N. Sawaki

Veröffentlichungen von N. Sawaki zu Sawaki, N. ->
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Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice (1986)
Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures (1985)
An integral equation approach to finite deflection of elastic plates (1982)
Subpicosecond photoluminescence from radiation-damaged Ga0.47In0.53As (1989)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth of (In"xGa"1"-"xN/GaN)^n layered structures and reduction of indium droplets (1994)
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate (1988)
Growth of GaN free from cracks on a (111)Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy (2002)
Time-resolved measurement of tunneling and energy relaxation of hot electrons in GaAs/AlGaAs double quantum well structures (1989)
Schottky barrier on n-type GaN grown by hydride vapor phase epitaxy (1993)
Deep levels in the upper band-gap region of lightly Mg-doped GaN (1996)
Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide (1986)
Selective growth of wurtzite GaN and Al"xGa"1"-"xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (1994)
Metalorganic vapor phase epitaxy growth and characteristics of Mg-doped GaN using GaN substrates (1994)
Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer (1991)
Veröffentlichungen zu Sawaki, N.
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1
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science Letters, in: Surface Science Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0167-2584, ZDB-ID 2229427-2 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. A250
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1986
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2
Sawaki, N. Interaction of two-dimensional electrons and polar optical phonons in a superlattice
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 170, No. 1-2 (1986), p. 537-541
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1986
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3
Sawaki, N., Akasaki, I. Scattering and real space transfer in multi-quantum well structures
in: Physica B+C, in: Physica B+C . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0378-4363, ZDB-ID 2208195-1 Vol. 134, No. 1-3 (1985), p. 494-498
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1985
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4
Kamiya, N., Sawaki, Y. An integral equation approach to finite deflection of elastic plates
in: International Journal of Non-Linear Mechanics, in: International Journal of Non-Linear Mechanics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0020-7462, ZDB-ID 2006564-4 Vol. 17, No. 3 (1982), p. 187-194
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1982
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5
Höpfel, R. A.., Sawaki, N.., ... Subpicosecond photoluminescence from radiation-damaged Ga0.47In0.53As
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 55, No. 5 (1989), p. 460-462
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1989
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6
Shimizu, M., Hiramatsu, K., ... Metalorganic vapor phase epitaxy growth of (In"xGa"1"-"xN/GaN)^n layered structures and reduction of indium droplets
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 145, No. 1-4 (1994), p. 209-213
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1994
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7
Amano, H., Akasaki, I., ... Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate
in: Thin Solid Films, in: Thin Solid Films . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0040-6090, ZDB-ID 1482896-0 Vol. 163 (1988), p. 415-420
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1988
Copyright: Copyright (c) 2002 Elsevier Science B.V. mehr
beteiligte Personen: Amano, H. , Akasaki, I. , Hiramatsu, K. , Koide, N. , Sawaki, N.
Erschienen: 1988.
Serie: ScienceDirect Elsevier journal backfiles [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0040-6090(88)90458-0
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8
Honda, Y.., Kuroiwa, Y.., ... Growth of GaN free from cracks on a (111)Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 80, No. 2 (2002), p. 222-224
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2002
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9
Sawaki, N.., Höpfel, R. A.., ... Time-resolved measurement of tunneling and energy relaxation of hot electrons in GaAs/AlGaAs double quantum well structures
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 55, No. 19 (1989), p. 1996-1998
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1989
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10
Hacke, P.., Detchprohm, T.., ... Schottky barrier on n-type GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 63, No. 19 (1993), p. 2676-2678
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1993
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11
Hacke, P.., Nakayama, H.., ... Deep levels in the upper band-gap region of lightly Mg-doped GaN
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 68, No. 10 (1996), p. 1362-1364
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1996
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12
Zhou, J., Goto, H., ... Photoluminescence of indium-doped zinc sulphide
in: Journal of Luminescence, in: Journal of Luminescence . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-2313, ZDB-ID 1491401-3 Vol. 35, No. 5 (1986), p. 255-260
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1986
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13
Kato, Y., Kitamura, S., ... Selective growth of wurtzite GaN and Al"xGa"1"-"xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 144, No. 3-4 (1994), p. 133-140
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1994
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14
Detchprohm, T., Hiramatsu, K., ... Metalorganic vapor phase epitaxy growth and characteristics of Mg-doped GaN using GaN substrates
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 145, No. 1-4 (1994), p. 192-196
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1994
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15
Takeuchi, T., Amano, H., ... Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 115, No. 1-4 (1991), p. 634-638
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Kano, H., Tanaka, Y., ... Negative differential resistance device built in a biwell GaAs/AlGaAs superlattice
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 81, No. 1-4 (1987), p. 144-148
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Suzuki, T., Goto, H., ... Autocompensation in Si planar doped GaAs
in: Applied Surface Science, in: Applied Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0169-4332, ZDB-ID 2002520-8 Vol. 82-83 (1994), p. 103-108
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1994
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18
Hashimoto, M., Amano, H., ... Effects of hydrogen in an ambient on the crystal growth of GaN using Ga(CH"3)"3 and NH"3
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 68, No. 1 (1984), p. 163-168
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1984
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19
Akasaki, I., Amano, H., ... Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga"1"-"xAl"xN (0 < x 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE
in: Journal of Crystal Growth, in: Journal of Crystal Growth . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0022-0248, ZDB-ID 1466514-1 Vol. 98, No. 1-2 (1989), p. 209-219
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1989
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20
Suzuki, T., Goto, H., ... Autocompensation in Si planar doped GaAs
in: Applied Surface Science, in: Applied Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0169-4332, ZDB-ID 2002520-8 Vol. 82-83 (1994), p. 103-108
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1994