Veröffentlichungen zu Park, Hyung-Ho. | |||
Verfasser | Titel | Jahr ![]() ![]() |
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Lee, Sang Yeol, Park, Hyung-Ho |
Effect of PrBa2Cu3O7−x buffer layer thickness on the properties of YBa2Cu3O7−x thin films grown on sapphire by laser ablation in: Journal of superconductivity , ISSN 1572-9605, Vol. 9 (5. 1996), p. 545-549 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1996 |
![]() 2 |
Jo, Moon-Ho., Park, Hyung-Ho. |
Leakage current and dielectric breakdown behavior in annealed SiO2 aerogel films In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 72, No. 11 (1998), p. 1391-1393 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1998 |
![]() 3 |
Kang, Min-Gu., Park, Hyung-Ho. |
Interface-controlled Au/GaAs Schottky contact with surface sulfidation and interfacial hydrogenation In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 89, No. 9 (2001), p. 5204-5208 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
2001 |
![]() 4 |
Kang, Min-Gu., Park, Hyung-Ho. |
Interface-controlled gate of GaAs metal–semiconductor field-effect transistor In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 80, No. 14 (2002), p. 2499-2501 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
2002 |
![]() 5 |
Jo, Moon-Ho, Park, Hyung-Ho, ... |
New ternary fluoride with K2NiF4-type structure in CsF-CaF2 system: Cs2CaF4 in: Journal of materials science , ISSN 1573-4811, Vol. 15 (15. 1996), p. 1294-1296 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1996 |
![]() 6 |
Lee, Jong-Lam., Kim, Dojin., ... |
Improvement of breakdown characteristics of a GaAs power field-effect transistor using (NH4)2Sx treatment In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 73, No. 7 (1993), p. 3539-3542 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1993 |
![]() 7 |
Baek, Jong Tae., Park, Hyung-Ho., ... |
Interfacial reaction in the sputter-deposited SiO2/Ti0.1W0.9 antifuse system In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 12 (1995), p. 7074-7079 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1995 |
![]() 8 |
Lee, Sung-Man, Yun, Dong-Sig, ... |
Solid state amorphization in Ni-Zr multilayers studied by differential scanning calorimetry in: Journal of materials science , ISSN 1573-4811, Vol. 12 (10. 1993), p. 770-772 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1993 |
![]() 9 |
Park, Hyung-Ho., Kwon, Kwang-Ho., ... |
Characterization and removal of silicon surface residue resulting from CHF3/C2F6 reactive ion etching In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 76, No. 8 (1994), p. 4596-4602 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1994 |
![]() 10 |
Moon, Hwan Seong, Lee, Jae Suk, ... |
Effect of deposition temperature on dielectric properties of PECVD Ta2O5 thin film in: Journal of materials science , ISSN 1573-4803, Vol. 29 (6. 1994), p. 1545-1548 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1994 |
![]() 11 |
Moon, Hwan Seong, Lee, Jae Suk, ... |
Effect of deposition temperature on dielectric properties of PECVD Ta2O5 thin film in: Journal of materials science , ISSN 1573-4803, Vol. 29 (12. 1994), p. 3372-3375 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1994 |
![]() 12 |
Jo, Moon-Ho., Park, Hyung-Ho., ... |
SiO2 aerogel film as a novel intermetal dielectric In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 82, No. 3 (1997), p. 1299-1304 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1997 |
![]() 13 |
Choi, Chi Kyu., Yang, Soo Jeong., ... |
In situ solid phase epitaxial growth of C49-TiSi2 on Si (111)-7×7 substrate In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 63, No. 4 (1993), p. 485-487 Zugang: zum Volltext ähnliche Vorschläge |
1993 |