Anmelden/Registrieren
Erscheinungsjahr:
 
Zurück zur geteilten Ansicht
Shigehiro Nishino

Veröffentlichungen von Shigehiro Nishino zu Nishino, Shigehiro. ->
weitere Veröffentlichungen von Shigehiro Nishino:
Ellipsometric monitoring of an oriented diamond nucleation process in bias-enhanced chemical vapor deposition (1997)
Effect of Al doping on low-temperature epitaxy of 3C-SiC/Si by chemical vapor deposition using hexamethyldisilane as a source material (1992)
Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon (1987)
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films from Tetrafluoroethylene and Tetraisocyanatesilane (1998)
PE-CVD of Fluorocarbon/SiO Composite Thin Films Using C4F8 and HMDSO (1999)
Epitaxial growth of 3C–SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition (1995)
Veröffentlichungen zu Nishino, Shigehiro. [x]
Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
zeige Details
1
Shirafuji, Tatsuru, Miyazaki, Yasuo, ... PE-CVD of Fluorocarbon/SiO Composite Thin Films Using C4F8 and HMDSO
in: Plasmas and polymers , ISSN 1572-8978, Vol. 4 (1. 1999), p. 57-75
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1999
zeige Details
2
Shirafuji, Tatsuru, Nakagami, Yuko, ... Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films from Tetrafluoroethylene and Tetraisocyanatesilane
in: Plasmas and polymers , ISSN 1572-8978, Vol. 3 (2. 1998), p. 115-127
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1998
zeige Details
3
Hayashi, Yasuaki., Li, Xi., ... Ellipsometric monitoring of an oriented diamond nucleation process in bias-enhanced chemical vapor deposition
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 71, No. 20 (1997), p. 2913-2915
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1997
zeige Details
4
Zorman, Christian A.., Fleischman, Aaron J.., ... Epitaxial growth of 3C–SiC films on 4 in. diam (100) silicon wafers by atmospheric pressure chemical vapor deposition
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 8 (1995), p. 5136-5138
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1995
zeige Details
5
Takahashi, Koji., Nishino, Shigehiro., ... Effect of Al doping on low-temperature epitaxy of 3C-SiC/Si by chemical vapor deposition using hexamethyldisilane as a source material
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 61, No. 17 (1992), p. 2081-2083
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1992
zeige Details
6
Nishino, Shigehiro., Suhara, Hajime., ... Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 61, No. 10 (1987), p. 4889-4893
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1987