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Marc-A. Nicolet

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Differential impulse response of unipolar space-charge-limited current (1967)
Influence of geometry on unipolar space-charge-limited current in solids and in vacuum (1967)
Carbon substrates for backscattering spectrometry analysis (2001)
Strain in porous Si formed on a Si (100) substrate (1990)
Epitaxial CoSi2 films on Si(100) by solid-phase reaction (1994)
Strain in epitaxial CoSi2 films on Si (111) and inference for pseudomorphic growth (1989)
Strain in porous Si with and without capping layers (1991)
Amorphization and recrystallization of epitaxial ReSi2 films grown on Si(100) (1991)
Formation of epitaxial CoSi2 on Si(100): Role of the annealing ambient (1993)
Epitaxial ternary RexMo1−xSi2 thin films on Si(100) (1994)
Heteroepitaxial relationships for CrSi2 thin films on Si(111) (1995)
Epitaxial films of semiconducting FeSi2 on (001) silicon (1990)
Epitaxial tendencies of ReSi2 on (001) silicon (1990)
Growth of epitaxial C54 TiSi2 on Si(111) substrate by in situ annealing in ultrahigh vacuum (1992)
Characterization of 28Si+ and 40Ar+ ion-implanted epitaxial ReSi2 films on an n-Si(100) substrate (1993)
Veröffentlichungen zu Nicolet, Marc-A..
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Rodriguez, Valentin, Nicolet, Marc A. Differential impulse response of unipolar space-charge-limited current
in: Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik , ISSN 1420-9039, Vol. 18 (2. 1967), p. 280-289
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1967
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2
Rodriguez, Valentin, Nicolet, Marc A. Influence of geometry on unipolar space-charge-limited current in solids and in vacuum
in: Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik , ISSN 1420-9039, Vol. 18 (2. 1967), p. 273-280
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1967
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3
Giauque, Pierre H.., Nicolet, Marc-A.. Carbon substrates for backscattering spectrometry analysis
In: Review of Scientific Instruments. - [S.l.] : American Institute of Physics, ISSN 1089-7623, Vol. 72, No. 2 (2001), p. 1589-1590
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2001
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4
Bai, Gang., Kim, Kun Ho., ... Strain in porous Si formed on a Si (100) substrate
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 57, No. 21 (1990), p. 2247-2249
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1990
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5
Vantomme, André., Nicolet, Marc-A.., ... Epitaxial CoSi2 films on Si(100) by solid-phase reaction
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 75, No. 8 (1994), p. 3882-3891
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1994
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6
Bai, Gang., Nicolet, Marc-A.., ... Strain in epitaxial CoSi2 films on Si (111) and inference for pseudomorphic growth
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 55, No. 18 (1989), p. 1874-1876
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1989
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7
Kim, Kun Ho., Bai, G.., ... Strain in porous Si with and without capping layers
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 69, No. 4 (1991), p. 2201-2205
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1991
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8
Kim, Kun Ho., Bai, G.., ... Amorphization and recrystallization of epitaxial ReSi2 films grown on Si(100)
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 58, No. 17 (1991), p. 1884-1886
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1991
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9
Vantomme, André., Nicolet, Marc-A.., ... Formation of epitaxial CoSi2 on Si(100): Role of the annealing ambient
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 62, No. 3 (1993), p. 243-245
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1993
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10
Vantomme, André., Nicolet, Marc-A.., ... Epitaxial ternary RexMo1−xSi2 thin films on Si(100)
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 75, No. 8 (1994), p. 3924-3927
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1994
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11
Long, Robert G.., Becker, James P.., ... Heteroepitaxial relationships for CrSi2 thin films on Si(111)
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 77, No. 7 (1995), p. 3088-3094
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1995
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12
Mahan, John E.., Geib, Kent M.., ... Epitaxial films of semiconducting FeSi2 on (001) silicon
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 56, No. 21 (1990), p. 2126-2128
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1990
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13
Mahan, John E.., Geib, Kent M.., ... Epitaxial tendencies of ReSi2 on (001) silicon
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 56, No. 24 (1990), p. 2439-2441
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1990
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14
Kim, Kun Ho., Lee, Jeoung Ju., ... Growth of epitaxial C54 TiSi2 on Si(111) substrate by in situ annealing in ultrahigh vacuum
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 71, No. 8 (1992), p. 3812-3815
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1992
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15
Kim, Kun Ho., Kim, Do Hee., ... Characterization of 28Si+ and 40Ar+ ion-implanted epitaxial ReSi2 films on an n-Si(100) substrate
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 74, No. 2 (1993), p. 1046-1050
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1993