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M. S. Lundstrom

Veröffentlichungen von M. S. Lundstrom zu Lundstrom, M. S.. ->
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Boundary conditions for pn heterojunctions (1984)
An Ebers-Moll model for the heterostructure bipolar transistor (1986)
A scattering matrix approach to device simulation (1990)
An analytical technique for calculating high-field transport parameters in semiconductors (1986)
Effective band-gap shrinkage in GaAs (1994)
Transistor-based studies of heavy doping effects in n-GaAs (1991)
Characterization of photon recycling in thin crystalline GaAs light emitting diodes (1995)
A compact HBT device model based on a one-flux treatment of carrier transport (1994)
Scattering matrix formulation of electron transport in compound semiconductor devices (1994)
A spectral flux method for solving the Boltzmann equation (1993)
Dopamine D2 blocking activity and plasma concentrations of remoxipride and its main metabolites in the rat (1993)
Chemical reactions on palladium surfaces studied with Pd-MOS structures (1977)
Reflectometry in kinetic studies of immunological and enzymatic reactions on solid surfaces (1984)
2.11 Hydrogen sensitive MOS structures (1977)
Thermionic emission-diffusion theory of isotype heterojunctions (1984)
Veröffentlichungen zu Lundstrom, M. S..
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1
Lundstrom, M.S. Boundary conditions for pn heterojunctions
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 27, No. 5 (1984), p. 491-496
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1984
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2
Lundstrom, M.S. An Ebers-Moll model for the heterostructure bipolar transistor
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 29, No. 11 (1986), p. 1173-1179
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1986
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3
Das, A., Lundstrom, M.S. A scattering matrix approach to device simulation
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 33, No. 10 (1990), p. 1299-1307
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1990
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4
Bandyopadhyay, S.., Maziar, C. M.., ... An analytical technique for calculating high-field transport parameters in semiconductors
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 60, No. 1 (1986), p. 278-284
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1986
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5
Harmon, E. S.., Melloch, M. R.., ... Effective band-gap shrinkage in GaAs
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 64, No. 4 (1994), p. 502-504
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1994
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6
Patkar, M. P.., Lundstrom, M. S.., ... Transistor-based studies of heavy doping effects in n-GaAs
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 59, No. 15 (1991), p. 1853-1854
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1991
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7
Patkar, M. P.., Lundstrom, M. S.., ... Characterization of photon recycling in thin crystalline GaAs light emitting diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 4 (1995), p. 2817-2822
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1995
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8
Tanaka, S.-i., Lundstrom, M.S. A compact HBT device model based on a one-flux treatment of carrier transport
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 37, No. 3 (1994), p. 401-410
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1994
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9
Alam, M.A., Lundstrom, M.S. Scattering matrix formulation of electron transport in compound semiconductor devices
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 37, No. 8 (1994), p. 1509-1520
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1994
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10
Alam, Muhammad A.., Stettler, Mark A.., ... A spectral flux method for solving the Boltzmann equation
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 73, No. 10 (1993), p. 4998-5003
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1993
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11
Ögren, S. Ö., Lundström, J., ... Dopamine D2 blocking activity and plasma concentrations of remoxipride and its main metabolites in the rat
in: Journal of neural transmission , ISSN 1435-1463, Vol. 93 (3. 1993), p. 187-203
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1993
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12
Lundstrom, I., Shivaraman, M.S., ... Chemical reactions on palladium surfaces studied with Pd-MOS structures
in: Surface Science, in: Surface Science . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0039-6028, ZDB-ID 1479030-0 Vol. 64, No. 2 (1977), p. 497-519
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1977
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13
Welin, S., Elwing, H., ... Reflectometry in kinetic studies of immunological and enzymatic reactions on solid surfaces
in: Analytica Chimica Acta, in: Analytica Chimica Acta . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0003-2670, ZDB-ID 1483436-4 Vol. 163 (1984), p. 263-267
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1984
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14
Lundstrom, I., Shivaraman, M.S., ... 2.11 Hydrogen sensitive MOS structures
in: Vacuum, in: Vacuum . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0042-207X, ZDB-ID 1479044-0 Vol. 27, No. 4 (1977), p. 245-247
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1977
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15
Schuelke, R.J., Lundstrom, M.S. Thermionic emission-diffusion theory of isotype heterojunctions
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 27, No. 12 (1984), p. 1111-1116
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1984
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16
Lundstrom, M.S., Schuelke, R.J. Modeling semiconductor heterojunctions in equilibrium
in: Solid State Electronics, in: Solid State Electronics . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0038-1101, ZDB-ID 2012825-3 Vol. 25, No. 8 (1982), p. 683-691
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1982
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17
Gadbois, Donald F.. N-Nitrosodimethylamine in cold-smoked sablefish
In: Journal of agricultural and food chemistry. - Washington, DC [u.a.], ISSN 1520-5118, Vol. 23, No. 4 (1975), p. 665-668
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1975
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18
Carpenter, M. S.., Melloch, M. R.., ... Effects of Na2S and (NH4)2S edge passivation treatments on the dark current-voltage characteristics of GaAs pn diodes
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 52, No. 25 (1988), p. 2157-2159
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1988
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19
Klausmeier-Brown, M. E.., Lundstrom, M. S.., ... Effects of heavy impurity doping on electron injection in p+-n GaAs diodes
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 52, No. 26 (1988), p. 2255-2257
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1988
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20
Stellwag, T. B.., Melloch, M. R.., ... Orientation-dependent perimeter recombination in GaAs diodes
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 56, No. 17 (1990), p. 1658-1660
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1990