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Dong-Joon Kim

Veröffentlichungen von Dong-Joon Kim zu Kim, Dong-Joon. ->
weitere Veröffentlichungen von Dong-Joon Kim:
Nanostructured Ta-Si-N diffusion barriers for Cu metallization (1997)
Structure and properties of dynamically cured EPDM/PP blends (1986)
Effect of an oxidized Ni/Au p contact on the performance of GaN/InGaN multiple quantum well light-emitting diodes (2001)
Thermal stability enhancement of Cu/WN/SiOF/Si multilayers by post-plasma treatment of fluorine-doped silicon dioxide (1999)
Effect of alcohol-based sulfur treatment on Pt Ohmic contacts to p-type GaN (2001)
InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with highly transparent Pt thin film contact on p-GaN (2000)
Modeling of a GaN-based light-emitting diode for uniform current spreading (2000)
SiO2 aerogel film as a novel intermetal dielectric (1997)
Effects of thermal and hydrogen treatment on indium segregation in InGaN/GaN multiple quantum wells (2001)
Fluorescent chemosensor for metal ions using a polymer having pendant pyridylbenzoxazole groups (2000)
Temperature dependence of photoluminescence of InGaN films containing In-rich quantum dots (2001)
Veröffentlichungen zu Kim, Dong-Joon.
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Kim, Dong Joon., Kim, Yong Tae. Nanostructured Ta-Si-N diffusion barriers for Cu metallization
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 82, No. 10 (1997), p. 4847-4851
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1997
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2
Ha, Chang Sik., Ihm, Dong Joon., ... Structure and properties of dynamically cured EPDM/PP blends
in: Journal of Applied Polymer Science, in: Journal of Applied Polymer Science . - New York, NY [u.a.] : Wiley, ISSN 0021-8995, ZDB-ID 1491105-x Vol. 32 (8. 1986), p. 6281-6297
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1986
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3
Kim, Hyunsoo., Kim, Dong-Joon., ... Effect of an oxidized Ni/Au p contact on the performance of GaN/InGaN multiple quantum well light-emitting diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 89, No. 2 (2001), p. 1506-1508
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2001
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4
Lee, Seoghyeong., Kim, Dong Joon., ... Thermal stability enhancement of Cu/WN/SiOF/Si multilayers by post-plasma treatment of fluorine-doped silicon dioxide
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 85, No. 1 (1999), p. 473-477
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1999
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5
Huh, Chul., Kim, Sang-Woo., ... Effect of alcohol-based sulfur treatment on Pt Ohmic contacts to p-type GaN
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 78, No. 13 (2001), p. 1942-1944
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2001
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6
Huh, Chul., Kim, Hyun-Soo., ... InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with highly transparent Pt thin film contact on p-GaN
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 87, No. 9 (2000), p. 4464-4466
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2000
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7
Kim, Hyunsoo., Lee, Ji-Myon., ... Modeling of a GaN-based light-emitting diode for uniform current spreading
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 77, No. 12 (2000), p. 1903-1904
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2000
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8
Jo, Moon-Ho., Park, Hyung-Ho., ... SiO2 aerogel film as a novel intermetal dielectric
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 82, No. 3 (1997), p. 1299-1304
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1997
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9
Moon, Yong-Tae., Kim, Dong-Joon., ... Effects of thermal and hydrogen treatment on indium segregation in InGaN/GaN multiple quantum wells
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 89, No. 11 (2001), p. 6514-6518
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2001
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10
Kim, Jong-Man, Chong, Byong-Oh, ... Fluorescent chemosensor for metal ions using a polymer having pendant pyridylbenzoxazole groups
in: Polymer bulletin , ISSN 1436-2449, Vol. 44 (1. 2000), p. 79-84
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2000
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11
Moon, Yong-Tae., Kim, Dong-Joon., ... Temperature dependence of photoluminescence of InGaN films containing In-rich quantum dots
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 79, No. 5 (2001), p. 599-601
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2001