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U. Gösele

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A new approach to the statistics of nuclear spin-lattice relaxation caused by paramagnetic impurities (1976)
Simple relationship between the kinetics of correlated and uncorrelated diffusion-controlled reactions (1980)
Anisotropic diffusion, long-range energy transfer and bimolecular exciton recombination kinetics (1976)
Carbon-induced undersaturation of silicon self-interstitials (1998)
Carbon diffusion in silicon (1998)
Principles of strain relaxation in heteroepitaxial films growing on compliant substrates (2000)
Porous silicon formation: A quantum wire effect (1991)
Two-dimensional phosphorus diffusion for soft drains in silicon MOS transistors (1986)
High-temperature diffusion of phosphorus and boron in silicon via vacancies or via self-interstitials? (1979)
The influence of intrisic defects on the degradation and luminescence of GaAs and other III–V compounds (1980)
Steady-state diffusion of point defects to dislocation loops (1977)
A unifying interpretation of dark line defects in GaAs and bright dislocation halos in GaP (1983)
Fast Diffusion in Semiconductors (1988)
Phosphorus and antimony in GaAs as tracers for self-diffusion on the arsenic sublattice (2000)
Destruction mechanism of III-V compound quantum well structures due to impurity diffusion (1987)
Veröffentlichungen zu Gösele, U..
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Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
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1
Gosele, U. A new approach to the statistics of nuclear spin-lattice relaxation caused by paramagnetic impurities
in: Physica B+C, in: Physica B+C . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0378-4363, ZDB-ID 2208195-1 Vol. 85, No. 2 (1976), p. 317-322
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1976
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2
Gosele, U. Simple relationship between the kinetics of correlated and uncorrelated diffusion-controlled reactions
in: Chemical Physics Letters, in: Chemical Physics Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0009-2614, ZDB-ID 1466293-0 Vol. 69, No. 2 (1980), p. 332-335
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1980
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3
Gosele, U. Anisotropic diffusion, long-range energy transfer and bimolecular exciton recombination kinetics
in: Chemical Physics Letters, in: Chemical Physics Letters . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0009-2614, ZDB-ID 1466293-0 Vol. 43, No. 1 (1976), p. 61-64
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1976
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4
Scholz, R.., Gösele, U.. Carbon-induced undersaturation of silicon self-interstitials
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 72, No. 2 (1998), p. 200-202
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1998
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5
Werner, P.., Gösele, U.. Carbon diffusion in silicon
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 17 (1998), p. 2465-2467
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1998
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6
Kästner, G.., Gösele, U.. Principles of strain relaxation in heteroepitaxial films growing on compliant substrates
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 88, No. 7 (2000), p. 4048-4055
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2000
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7
Lehmann, V.., Gösele, U.. Porous silicon formation: A quantum wire effect
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 58, No. 8 (1991), p. 856-858
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1991
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8
Lau, F., Gösele, U. Two-dimensional phosphorus diffusion for soft drains in silicon MOS transistors
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 40 (2. 1986), p. 101-107
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1986
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9
Gösele, U., Strunk, H. High-temperature diffusion of phosphorus and boron in silicon via vacancies or via self-interstitials?
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 20 (4. 1979), p. 265-273
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1979
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10
Frank, W., Gösele, U. The influence of intrisic defects on the degradation and luminescence of GaAs and other III–V compounds
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 23 (3. 1980), p. 303-309
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1980
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11
Seeger, A., Gosele, U. Steady-state diffusion of point defects to dislocation loops
in: Physics Letters A, in: Physics Letters A . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0375-9601, ZDB-ID 1466603-0 Vol. 61, No. 6 (1977), p. 423-425
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1977
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12
Frank, W., Gosele, U. A unifying interpretation of dark line defects in GaAs and bright dislocation halos in GaP
in: Physica B+C, in: Physica B+C . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0378-4363, ZDB-ID 2208195-1 Vol. 116, No. 1-3 (1983), p. 420-424
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1983
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13
Gosele, U M. Fast Diffusion in Semiconductors
in: Annual Review of Materials Research, in: Annual Review of Materials Research. - Palo Alto, Calif., ISSN 0084-6600 Vol. 18 (1988), p. 257-282
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1988
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14
Scholz, R. F.., Gösele, U.. Phosphorus and antimony in GaAs as tracers for self-diffusion on the arsenic sublattice
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 87, No. 2 (2000), p. 704-710
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2000
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15
Tan, T. Y.., Gösele, U.. Destruction mechanism of III-V compound quantum well structures due to impurity diffusion
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 61, No. 5 (1987), p. 1841-1845
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1987
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16
Tan, T. Y.., Gösele, U.. Mechanisms of doping-enhanced superlattice disordering and of gallium self-diffusion in GaAs
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 52, No. 15 (1988), p. 1240-1242
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1988
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17
Gösele, U.., Tu, K. N.. "Critical thickness'' of amorphous phase formation in binary diffusion couples
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 66, No. 6 (1989), p. 2619-2626
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1989
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18
Tan, T. Y., Gösele, U. Point defects, diffusion processes, and swirl defect formation in silicon
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 37 (1. 1985), p. 1-17
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1985
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19
Mitani, K., Gösele, U. M. Formation of interface bubbles in bonded silicon wafers: A thermodynamic model
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 54 (6. 1992), p. 543-552
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1992
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20
Gösele, U., Tan, T. Y. Oxygen diffusion and thermal donor formation in silicon
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 28 (2. 1982), p. 79-92
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1982