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D. G. Deppe

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Thermodynamic explanation to the enhanced diffusion of base dopant in AlGaAs-GaAs npn bipolar transistors (1990)
Gain mechanism of the vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser (1990)
Self-consistent eigenmode analysis of the dielectrically apertured Fabry–Perot microcavity (1997)
Tunneling transport and diffusion in weakly coupled quantum dot ensembles (1998)
Quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser based on the Purcell effect (1999)
Atom diffusion and impurity-induced layer disordering in quantum well III-V semiconductor heterostructures (1988)
Spontaneous emission from a dipole in a semiconductor microcavity (1991)
Optical gain enhancement in Fabry–Perot microcavity lasers (1992)
Spontaneous emission and optical gain in a Fabry–Perot microcavity (1992)
Low threshold vertical-cavity surface-emitting lasers based on high contrast distributed Bragg reflectors (1997)
Improved performance of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers using a tunnel injection active region (1997)
Electron and hole tunneling in a moderate density quantum dot ensemble with shallow confinement potentials (1998)
Electroluminescence efficiency of 1.3 μm wavelength InGaAs/GaAs quantum dots (1998)
Quantum dimensionality, entropy, and the modulation response of quantum dot lasers (2000)
Spontaneous coupling to planar and index-confined quasimodes of Fabry–Pérot microcavities (1995)
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1
Deppe, D. G. Thermodynamic explanation to the enhanced diffusion of base dopant in AlGaAs-GaAs npn bipolar transistors
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 56, No. 4 (1990), p. 370-372
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1990
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2
Deppe, D. G. Gain mechanism of the vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 57, No. 17 (1990), p. 1721-1723
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1990
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3
Deppe, D. G.., Deng, Q.. Self-consistent eigenmode analysis of the dielectrically apertured Fabry–Perot microcavity
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 71, No. 2 (1997), p. 160-162
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1997
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4
Deppe, D. G.., Deng, Q.. Tunneling transport and diffusion in weakly coupled quantum dot ensembles
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 24 (1998), p. 3536-3538
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1998
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5
Deppe, D. G.., Huang, H.. Quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser based on the Purcell effect
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 75, No. 22 (1999), p. 3455-3457
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1999
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6
Deppe, D. G.., Holonyak, N.. Atom diffusion and impurity-induced layer disordering in quantum well III-V semiconductor heterostructures
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 64, No. 12 (1988), p. 93
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1988
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7
Deppe, D. G.., Lei, C.. Spontaneous emission from a dipole in a semiconductor microcavity
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 70, No. 7 (1991), p. 3443-3448
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1991
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8
Lei, C.., Deppe, D. G.. Optical gain enhancement in Fabry–Perot microcavity lasers
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 71, No. 6 (1992), p. 2530-2535
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1992
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9
Deppe, D. G.., Lei, C.. Spontaneous emission and optical gain in a Fabry–Perot microcavity
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 60, No. 5 (1992), p. 527-529
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1992
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10
Baumann, P.. Erfahrungen mit der operativen Behandlung des Endometriumkarzinoms an einem amerikanischen Lehrkrankenhaus
In: Geburtshilfe und Frauenheilkunde. - Stuttgart : Thieme Vol. 59, No. 12 (12. 1999), p. 599-605
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1999
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11
Huffaker, D. L.., Deppe, D. G.. Low threshold vertical-cavity surface-emitting lasers based on high contrast distributed Bragg reflectors
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 70, No. 14 (1997), p. 1781-1783
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1997
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12
Deng, H.., Deng, Q.., ... Very small oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with a bulk active region
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 70, No. 6 (1997), p. 741-743
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1997
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13
Huffaker, D. L.., Deppe, D. G.. Improved performance of oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers using a tunnel injection active region
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 71, No. 11 (1997), p. 1449-1451
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1997
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14
Huffaker, D. L.., Deppe, D. G.. Electron and hole tunneling in a moderate density quantum dot ensemble with shallow confinement potentials
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 3 (1998), p. 366-368
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1998
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15
Huffaker, D. L.., Deppe, D. G.. Electroluminescence efficiency of 1.3 μm wavelength InGaAs/GaAs quantum dots
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 4 (1998), p. 520-522
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1998
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16
Deppe, D. G.., Huffaker, D. L.. Quantum dimensionality, entropy, and the modulation response of quantum dot lasers
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 77, No. 21 (2000), p. 3325-3327
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2000
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17
Zou, Z.., Chen, H.., ... Apertured quantum dot microcavity light emitting diodes
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 78, No. 20 (2001), p. 3067-3069
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2001
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18
Shchekin, O. B.., Deppe, D. G.. The role of p-type doping and the density of states on the modulation response of quantum dot lasers
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 80, No. 15 (2002), p. 2758-2760
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2002
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19
Shchekin, O. B.., Deppe, D. G.. 1.3 μm InAs quantum dot laser with To=161 K from 0 to 80 °C
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 80, No. 18 (2002), p. 3277-3279
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2002
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20
Lin, C. C.., Deppe, D. G.. Calculation of lifetime dependence of Er3+ on cavity length in dielectric half-wave and full-wave microcavities
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 75, No. 9 (1994), p. 4668-4672
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1994