Anmelden/Registrieren
Erscheinungsjahr:
 
Zurück zur geteilten Ansicht
T. S. Colpitts

Veröffentlichungen von T. S. Colpitts zu Colpitts, T. ->
weitere Veröffentlichungen von T. S. Colpitts:
Growth of GaInAsP using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine (1991)
Selective plasma etching of Ge substrates for thin freestanding GaAs-AlGaAs heterostructures (1991)
Measurement of AlGaAs/AlGaAs interface recombination velocities using time-resolved photoluminescence (1990)
Veröffentlichungen zu Colpitts, T.
Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr absteigend sortierenaufsteigend sortieren
zeige Details
1
Sharps, P. R.., Timmons, M. L.., ... Growth of GaInAsP using ethyldimethylindium and tertiarybutylphosphine
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 58, No. 18 (1991), p. 2006-2008
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1991
zeige Details
2
Venkatasubramanian, R.., Timmons, M. L.., ... Selective plasma etching of Ge substrates for thin freestanding GaAs-AlGaAs heterostructures
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 59, No. 17 (1991), p. 2153-2155
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1991
zeige Details
3
Veeraragavan, K., Colpitts, T., ... Purification and characterization of two distinct lipases from Geotrichum candidum
in: Biochimica et Biophysica Acta (BBA)/Lipids and Lipid Metabolism, in: Biochimica et Biophysica Acta (BBA)/Lipids and Lipid Metabolism . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0005-2760, ZDB-ID 2209461-1 Vol. 1044, No. 1 (1990), p. 26-33
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1990
zeige Details
4
Timmons, M. L.., Colpitts, T. S.., ... Measurement of AlGaAs/AlGaAs interface recombination velocities using time-resolved photoluminescence
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 56, No. 19 (1990), p. 1850-1852
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1990