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M. D. Bremser

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Trends in residual stress for GaN/AlN/6H–SiC heterostructures (1998)
High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN using an inductively coupled plasma (1997)
A donorlike deep level defect in Al0.12Ga0.88N characterized by capacitance transient spectroscopies (1996)
Growth defects in GaN films on 6H–SiC substrates (1996)
Variation of GaN valence bands with biaxial stress and quantification of residual stress (1997)
Real-time assessment of overlayer removal on GaN, AlN, and AlGaN surfaces using spectroscopic ellipsometry (1996)
Cleaning of AlN and GaN surfaces (1998)
Thin films of aluminum nitride and aluminum gallium nitride for cold cathode applications (1997)
Optical studies of GaN and GaN/AlGaN heterostructures on SiC substrates (1996)
Buchbesprechungen (1973)
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1
Edwards, N. V.., Bremser, M. D.., ... Trends in residual stress for GaN/AlN/6H–SiC heterostructures
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 19 (1998), p. 2808-2810
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1998
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2
Smith, S. A.., Wolden, C. A.., ... High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN using an inductively coupled plasma
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 71, No. 25 (1997), p. 3631-3633
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1997
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3
Götz, W.., Johnson, N. M.., ... A donorlike deep level defect in Al0.12Ga0.88N characterized by capacitance transient spectroscopies
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 69, No. 16 (1996), p. 2379-2381
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1996
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4
Chien, F. R.., Ning, X. J.., ... Growth defects in GaN films on 6H–SiC substrates
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 68, No. 19 (1996), p. 2678-2680
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1996
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5
Edwards, N. V.., Yoo, S. D.., ... Variation of GaN valence bands with biaxial stress and quantification of residual stress
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 70, No. 15 (1997), p. 2001-2003
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1997
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6
Edwards, N. V.., Bremser, M. D.., ... Real-time assessment of overlayer removal on GaN, AlN, and AlGaN surfaces using spectroscopic ellipsometry
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 69, No. 14 (1996), p. 2065-2067
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1996
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7
King, S. W.., Barnak, J. P.., ... Cleaning of AlN and GaN surfaces
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 84, No. 9 (1998), p. 5248-5260
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1998
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8
Sowers, A. T.., Christman, J. A.., ... Thin films of aluminum nitride and aluminum gallium nitride for cold cathode applications
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 71, No. 16 (1997), p. 2289-2291
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1997
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9
Shan, W.., Fischer, A. J.., ... Optical studies of GaN and GaN/AlGaN heterostructures on SiC substrates
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 69, No. 6 (1996), p. 740-742
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1996
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10
Kuhn-Schnyder, E., Dose, K., ... Buchbesprechungen
in: Naturwissenschaften , ISSN 1432-1904, Vol. 60 (4. 1973), p. 210-214
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1973