Anmelden/Registrieren
Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr
zeige Details Pagnia, H. Influence of illumination on oxide charges and interface states of InSb MOS devices
in: Physics Letters A, in: Physics Letters A . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0375-9601, ZDB-ID 1466603-0 Vol. 51, No. 7 (1975), p. 389-390
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1975
Copyright: Copyright (c) 2002 Elsevier Science B.V.
beteiligte Personen: Pagnia, H.
Format: Elektronisch
Erschienen: 1975.
Serie: ScienceDirect Elsevier journal backfiles [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0375-9601(75)90741-0

Ähnliche Vorschläge

Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr
zeige Details Heime, A., Pagnia, H. Influence of the semiconductor-oxide interlayer on the AC-behaviour of InSb MOS-capacitors
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 15 (1. 1978), p. 79-84
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1978
zeige Details Weiguo, Sun Interface of anodic sulfide-oxide on n-type InSb
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 52 (1. 1991), p. 75-77
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1991
zeige Details Koehler, M., Hümmelgen, I.A. Tunneling through a Metal/Polymer Interface Containing a Thin Oxide Layer: Discussion of the Consequences of Oxide Presence on Charge Injection
in: Interface science , ISSN 1573-2746, Vol. 6 (3. 1998), p. 235-241
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1998
zeige Details DiMaria, D. J. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation, and hole currents in metal–oxide–semiconductor structures
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 81, No. 7 (1997), p. 3220-3226
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1997
Oxide charge trapping and current sensing techniques are used to test for enhanced anode hole generation from metal–oxide–semiconductor devices with gate electrodes of increasing work function during hot electron stress. In this study, the gate work function variation was obtained by... mehr
1. Verfasser: DiMaria, D. J.
Format: Elektronisch
Erschienen: 1997.
Serie: AIP Digital Archive [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.364153
zeige Details Ericsson, Per., Bengtsson, Stefan., ... Influence of prebonding cleaning on the electrical properties of the buried oxide of bond-and-etchback silicon-on-insulator materials
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 5 (1995), p. 3472-3480
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1995