Anmelden/Registrieren
Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr
zeige Details Bischoff, M., Pagnia, H., ... Correlation between electrical switching and photon emission in planar metal/insulator/metal diodes
in: Thin Solid Films, in: Thin Solid Films . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0040-6090, ZDB-ID 1482896-0 Vol. 139, No. 1 (1986), p. 25-32
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1986
Copyright: Copyright (c) 2002 Elsevier Science B.V.
beteiligte Personen: Bischoff, M. , Pagnia, H. , Weyrich, K.
Format: Elektronisch
Erschienen: 1986.
Serie: ScienceDirect Elsevier journal backfiles [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0040-6090(86)90044-1

Ähnliche Vorschläge

Zurück zur geteilten Ansicht
Verfasser Titel Jahr
zeige Details Canet, P.., Laurent, C.., ... Light emission from metal-insulator-metal structures
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 73, No. 1 (1993), p. 384-393
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1993
zeige Details Korobov, A. I., Naumchenko, A. S., ... Correlation in the change of internal stresses and electrical properties in metal-insulator-metal film structures during heat treatment
in: Russian physics journal , ISSN 1573-9228, Vol. 14 (6. 1971), p. 822-824
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1971
zeige Details Hübers, H.-W.., Schwaab, G. W.., ... Video detection and mixing performance of GaAs Schottky-barrier diodes at 30 THz and comparison with metal-insulator-metal diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 75, No. 8 (1994), p. 4243-4248
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1994
zeige Details Johnson, D. J.., Quintenz, J. P.., ... Electron and ion kinetics and anode plasma formation in two applied Br field ion diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 57, No. 3 (1985), p. 794-805
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1985
Two magnetically insulated ion diodes that utilize a radial applied-B field are described. Both diodes generate an annular beam that is extracted along the diode axis. The first diode operated at 1.2 MV and 600 kA for 25 ns and generated a 300-kA ion beam. The second operated at 300 kV, 100 kA... mehr
beteiligte Personen: Johnson, D. J.. , Quintenz, J. P.. , Sweeney, M. A..
Format: Elektronisch
Erschienen: 1985.
Serie: AIP Digital Archive [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.334728
zeige Details Van Tuyen, Vo., Szentpáli, Béla. Tunneling in planar-doped barrier diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 68, No. 6 (1990), p. 2824-2828
Zugang: zum Volltext
ähnliche Vorschläge
1990