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Verfasser Titel Jahr
zeige Details Pagnia, H. Influence of illumination on oxide charges and interface states of InSb MOS devices
in: Physics Letters A, in: Physics Letters A . - Amsterdam : Elsevier, ISSN 0375-9601, ZDB-ID 1466603-0 Vol. 51, No. 7 (1975), p. 389-390
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1975
Copyright: Copyright (c) 2002 Elsevier Science B.V.
beteiligte Personen: Pagnia, H.
Format: Elektronisch
Erschienen: 1975.
Serie: ScienceDirect Elsevier journal backfiles [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/0375-9601(75)90741-0

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Verfasser Titel Jahr
zeige Details Heime, A., Pagnia, H. Influence of the semiconductor-oxide interlayer on the AC-behaviour of InSb MOS-capacitors
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 15 (1. 1978), p. 79-84
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1978
zeige Details Weiguo, Sun Interface of anodic sulfide-oxide on n-type InSb
in: Applied physics , ISSN 1432-0630, Vol. 52 (1. 1991), p. 75-77
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1991
zeige Details Koehler, M., Hümmelgen, I.A. Tunneling through a Metal/Polymer Interface Containing a Thin Oxide Layer: Discussion of the Consequences of Oxide Presence on Charge Injection
in: Interface science , ISSN 1573-2746, Vol. 6 (3. 1998), p. 235-241
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1998
zeige Details DiMaria, D. J. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation, and hole currents in metal–oxide–semiconductor structures
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 81, No. 7 (1997), p. 3220-3226
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In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 78, No. 5 (1995), p. 3472-3480
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1995