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Verfasser Titel Jahr
zeige Details Van Tuyen, Vo., Szentpáli, Béla. Tunneling in planar-doped barrier diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 68, No. 6 (1990), p. 2824-2828
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1990
The effect of the thermionic-field emission mechanism on the I-V characteristics of planar-doped barrier diodes is investigated. The regions of temperature and of structural dimensions are given where this effect appears. The differences due to the different shapes of the potential barrier are pointed out between planar-doped barrier diodes and Schottky diodes.
beteiligte Personen: Van Tuyen, Vo. , Szentpáli, Béla.
Format: Elektronisch
Sprache: English
Erschienen: 1990.
Serie: AIP Digital Archive [Dig. Serial]
Schlagwörter:
URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.346462

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Verfasser Titel Jahr
zeige Details Couch, N. R.., Kearney, M. J.. Hot-electron properties of GaAs planar-doped barrier diodes
In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 66, No. 10 (1989), p. 5083-5085
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zeige Details Gruzinskis, V.., Liberis, J.., ... Competition of shot noise and hot-electron noise in GaAs planar-doped barrier diode
In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 73, No. 17 (1998), p. 2488-2490
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In: Applied Physics Letters. - Woodbury, NY : Inst., ISSN 1077-3118, Vol. 52, No. 17 (1988), p. 1395-1397
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In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 79, No. 3 (1996), p. 1801-1806
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In: Journal of Applied Physics. - [S.l.], ISSN 1089-7550, Vol. 74, No. 9 (1993), p. 5569-5574
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